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    包装 : 带卷(TR) 系列 : - FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss) : 20V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 7A(Ta) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 19.1 毫欧 @ 3.5A,2.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : - 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 7.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss) : 870pF @ 10V 功率-最大值 : 2.4W 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-WFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装 : 6-HUSON(2x2)
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